選擇正確的ICT設(shè)備應(yīng)對(duì)低電壓器件的測(cè)試挑戰(zhàn)

   輸出阻抗影響電壓測(cè)試精度 


   為了對(duì)數(shù)字器件進(jìn)行加電的矢量測(cè)試，在線測(cè)試設(shè)備使用了驅(qū)動(dòng)器/比較器(D/S)，它們可以驅(qū)動(dòng)被測(cè)器件的輸入/輸出管腳，以使之到達(dá)所需的邏輯狀態(tài)并進(jìn)而測(cè)量輸出管腳的邏輯狀態(tài)。一些驅(qū)動(dòng)器的數(shù)字管腳設(shè)計(jì)為低阻抗電流源，通常可輸出或吸收600mA或更大的電流。這一電流源驅(qū)使電路板上的節(jié)點(diǎn)迅速到達(dá)測(cè)試所需的邏輯電平。當(dāng)對(duì)被測(cè)器件的輸出管腳進(jìn)行瞬時(shí)飽和驅(qū)動(dòng)、促使輸出管腳到達(dá)其相反邏輯狀態(tài)時(shí)，我們稱之為反向驅(qū)動(dòng)。 


   加電矢量測(cè)試技術(shù)已在在線測(cè)試設(shè)備中成功使用了二十年。然而，目前傳統(tǒng)的在線測(cè)試設(shè)備卻越來(lái)越難以準(zhǔn)確、可靠并安全地測(cè)試各種新型低電壓器件。這主要是傳統(tǒng)的在線D/S管腳設(shè)計(jì)不夠精密，同時(shí)可能會(huì)違反當(dāng)今低電壓技術(shù)規(guī)范中有關(guān)最大電壓和電流的嚴(yán)格限制。為了成功地進(jìn)行低電壓測(cè)試，在線驅(qū)動(dòng)器必須足夠精確并提供被測(cè)器件輸入管腳所需的邏輯高/低電平。此外，在線比較器也必須足夠精確，以檢測(cè)器件輸出管腳上的邏輯高/低電平的差異。 


   多數(shù)使用D/S設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)在線測(cè)試設(shè)備帶有線驅(qū)動(dòng)器(rail driver)和簡(jiǎn)單的比較器。由于使用商業(yè)現(xiàn)貨器件，這種測(cè)試儀設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、成本低廉并且易于使用。線驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗通常約為5Ω，無(wú)負(fù)載驅(qū)動(dòng)誤差約為150mV，而比較器的輸入電壓誤差通常超過(guò)300mV。較為精密的在線測(cè)試設(shè)備通常使用閉環(huán)回路和定制化ASIC，極大地提高了驅(qū)動(dòng)器和比較器的精度。此類設(shè)計(jì)成本高并且較難應(yīng)用，但是它們的輸出阻抗非常低(1Ω及以下)，驅(qū)動(dòng)器/比較器誤差也更小(100mV及以下)。在無(wú)負(fù)載電流時(shí)，兩種D/S設(shè)計(jì)都可以測(cè)試超過(guò)1.2V的電壓器件。不過(guò)受到本身的管腳比較器精度的影響，較簡(jiǎn)單的測(cè)試儀無(wú)法精確測(cè)試低于1.2V的電壓。在反向驅(qū)動(dòng)時(shí)，由于它的線驅(qū)動(dòng)器管腳輸出阻抗較高，它甚至連高電壓都無(wú)法測(cè)試。 


   如上所述，當(dāng)在線驅(qū)動(dòng)器需要瞬時(shí)過(guò)電流驅(qū)動(dòng)某個(gè)元件輸出，使其邏輯狀態(tài)達(dá)到相反狀態(tài)，這稱為反向驅(qū)動(dòng)。在特定的電路設(shè)計(jì)、或PCB上特定的故障情況下以及當(dāng)測(cè)試程度中缺少有關(guān)器件測(cè)試隔離代碼時(shí)，采用反向驅(qū)動(dòng)技術(shù)變得相當(dāng)普遍。對(duì)PC主板典型的在線測(cè)試程序進(jìn)行分析得知，在56個(gè)數(shù)字器件的測(cè)試中有17個(gè)器件需要反向驅(qū)動(dòng)；而156次反向驅(qū)動(dòng)事例中的電流均大于50mA。反向驅(qū)動(dòng)電流的中值為176mA，最高值為600mA，持續(xù)最長(zhǎng)時(shí)間為2.5ms。在使用高輸出阻抗線驅(qū)動(dòng)器的在線測(cè)試設(shè)備中，如此大量的反向驅(qū)動(dòng)會(huì)引發(fā)問(wèn)題，當(dāng)反向驅(qū)動(dòng)電流增加時(shí)，管腳驅(qū)動(dòng)器的電壓精度會(huì)大幅降低。 


   高輸出阻抗驅(qū)動(dòng)器的精度隨著反向驅(qū)動(dòng)電流的增加而迅速下降。當(dāng)反向驅(qū)動(dòng)電流為100mA時(shí)，驅(qū)動(dòng)器的精度已不足以測(cè)試1.2V邏輯電平；當(dāng)反向驅(qū)動(dòng)電流為200mA時(shí)，驅(qū)動(dòng)器無(wú)法測(cè)試3.3V邏輯電平；當(dāng)反向驅(qū)動(dòng)器電流超過(guò)300mA時(shí)，驅(qū)動(dòng)器無(wú)法測(cè)試5V邏輯電平；而當(dāng)反向驅(qū)動(dòng)器電流達(dá)到500mA時(shí)，高輸出阻抗驅(qū)動(dòng)器的誤差甚至?xí)_(dá)到2V。相比之下，低輸出阻抗的驅(qū)動(dòng)器精度較為穩(wěn)定，即使在反向驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)400mA時(shí)仍能測(cè)試0.8V邏輯電平。從實(shí)驗(yàn)中我們了解到高輸出阻抗和低輸出阻抗的驅(qū)動(dòng)器在反向驅(qū)動(dòng)和非反向驅(qū)動(dòng)情況下的性能。波形表明，當(dāng)負(fù)載為6Ω時(shí)，原來(lái)計(jì)劃驅(qū)動(dòng)1.2V的高輸出阻抗驅(qū)動(dòng)器實(shí)際只能驅(qū)動(dòng)0.58V。相比之下，低輸出阻抗驅(qū)動(dòng)器在負(fù)載為6Ω時(shí)則可實(shí)現(xiàn)1.07V的驅(qū)動(dòng)。 


   潛在故障和應(yīng)對(duì)措施 


   由于器件尺寸更小同時(shí)最大電壓閾值更低，低電壓器件更容易出現(xiàn)下列故障：柵氧化層擊穿、ESD二極管過(guò)應(yīng)力和CMOS鎖閉等。由于低電壓器件采用更薄的晶體管柵氧化層，因而在過(guò)壓情況下也更容易受損。這種損傷稱為時(shí)間相關(guān)介電擊穿，它與時(shí)間、溫度、電壓和柵氧化層寬度有關(guān)。當(dāng)加在器件管腳上的電壓超過(guò)其最大額定電壓時(shí)會(huì)出現(xiàn)柵氧化層擊穿現(xiàn)象。例如，英特爾FSB/PSB總線的額定電壓為1.75V。如果與總線連接的器件管腳電壓長(zhǎng)期處于1.75V以上，那么晶體管的柵氧化層便會(huì)受損。 


   大多數(shù)傳統(tǒng)的在線測(cè)試設(shè)備的D/S管腳都被迫使用相同的邏輯電平(16或32個(gè)管腳使用相同的邏輯電平)。這種設(shè)計(jì)成本低廉，但當(dāng)同一組中的D/S管腳與電壓不同的被測(cè)器件管腳相連時(shí)便會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。這種情況下，編程者不得不給該組中的所有管腳分配相同的邏輯電平，從而使某些低電壓器件的管腳電壓超過(guò)最大額定值。使用高輸出阻抗驅(qū)動(dòng)器的在線測(cè)試設(shè)備也非常容易出現(xiàn)過(guò)壓情況，因?yàn)榫幊陶咴噲D通過(guò)提高編程電壓來(lái)補(bǔ)償由于管腳驅(qū)動(dòng)器反向驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生的電壓誤差。 


   先進(jìn)的在線測(cè)試設(shè)備提高了D/S精度并對(duì)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，如此可對(duì)每個(gè)管腳獨(dú)立編程設(shè)置其所需的邏輯電平，從而避免了上述潛在問(wèn)題的發(fā)生。這種管腳獨(dú)立編程性可避免器件管腳電壓超過(guò)其最大額定電壓，從而保證器件的每個(gè)管腳都工作在適當(dāng)?shù)倪壿嬰娖介撝祪?nèi)。 


   當(dāng)ESD保護(hù)二極管的反向驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)額定最大值時(shí)還會(huì)出現(xiàn)ESD二極管過(guò)應(yīng)力現(xiàn)象。一些器件廠商建議ESD二極管的電流不應(yīng)超過(guò)100mA。如果超過(guò)這一額定值，在出廠測(cè)試時(shí)無(wú)法發(fā)現(xiàn)此類ESD二極管損壞，但隨后卻會(huì)在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中出現(xiàn)故障。帶有受損ESD二極管的器件容易受到靜電放電的攻擊，從而降低性能，甚至引發(fā)災(zāi)難性故障。目前，多數(shù)在線測(cè)試設(shè)備尚無(wú)法確定和避免ESD二極管過(guò)應(yīng)力情況。 


   CMOS鎖閉是當(dāng)一對(duì)晶體管組成等效的PNPN或NPNP可控硅整流器(SCR)時(shí)會(huì)出現(xiàn)的情況，它會(huì)在器件內(nèi)形成從電源到接地之間的低阻抗、高電流通路，并造成器件誤操作和永久性失效。閉鎖通常是由于CMOS器件的輸入端出現(xiàn)快速上升或者下降電壓脈沖而引起的。靜電放電或在線測(cè)試中某個(gè)輸出因受到反向驅(qū)動(dòng)而突然改變其邏輯狀態(tài)均會(huì)造成CMOS鎖閉。 


   為了避免數(shù)字在線測(cè)試中出現(xiàn)這種潛在的有害電壓脈沖，我們必須使用多層數(shù)字隔離技術(shù)。多層數(shù)字隔離技術(shù)可確保測(cè)試網(wǎng)絡(luò)中的所有輸出得到控制，并得知其在連接到數(shù)字驅(qū)動(dòng)器前的狀態(tài)。一些在線測(cè)試設(shè)備只隔離那些與被測(cè)器件輸入直接相連的輸出，但它無(wú)法有效防止那些不與被測(cè)器件直接相連的電路網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)電壓脈沖。 


   另外，測(cè)試持續(xù)時(shí)間對(duì)被測(cè)器件也有重大影響。流經(jīng)反向驅(qū)動(dòng)元件的電流會(huì)導(dǎo)致器件輸出接點(diǎn)和接合引線的溫度升高，而IC的最大安全反向驅(qū)動(dòng)時(shí)間是一個(gè)與反向驅(qū)動(dòng)IC的管腳數(shù)、電流大小、封裝方式和制造工藝有關(guān)的函數(shù)。如果由于反向驅(qū)動(dòng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而導(dǎo)致引線溫度超過(guò)熔點(diǎn)，那么便會(huì)引發(fā)引線失效或疲勞，從而產(chǎn)生潛在故障并縮短元件壽命。 


   因此，在出現(xiàn)反向驅(qū)動(dòng)的時(shí)候在線測(cè)試設(shè)備必須盡量縮短測(cè)試時(shí)間。一些在線測(cè)試設(shè)備的管腳電路系統(tǒng)中帶有專用的數(shù)字控制器和存儲(chǔ)器，可實(shí)現(xiàn)精確定時(shí)并快速有效地進(jìn)行矢量測(cè)試。落后的在線測(cè)試設(shè)備所需測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng)，因?yàn)闇y(cè)試過(guò)程中必須從PC中傳遞測(cè)試矢量。但這些測(cè)試設(shè)備的定時(shí)與所用PC類型、傳輸數(shù)據(jù)量以及PC上運(yùn)行的其他程序有關(guān)，因此極難預(yù)測(cè)。為了比較兩種方法的性能，我們進(jìn)行了如下試驗(yàn)：在測(cè)試1,000個(gè)矢量時(shí)，不帶專用數(shù)字控制器的測(cè)試設(shè)備所需時(shí)間為帶專用數(shù)字控制器的測(cè)試設(shè)備所需時(shí)間的520倍(104ms對(duì)0.2ms)。縮短測(cè)試時(shí)間可減輕對(duì)反向驅(qū)動(dòng)元件的壓力，并減少與板上動(dòng)作相關(guān)的電壓脈沖出現(xiàn)。 


   低電壓在線測(cè)試策略決定設(shè)備的選擇 


   許多情況下傳統(tǒng)的在線測(cè)試設(shè)備無(wú)法準(zhǔn)確、安全、可靠地進(jìn)行低電壓測(cè)試。因此PCB制造商們?cè)跍y(cè)試時(shí)必須處理相關(guān)問(wèn)題，對(duì)一些測(cè)試策略進(jìn)行折中處理。 


   降低故障檢測(cè)覆蓋率，如果在線測(cè)試 D/S管腳精度不夠，無(wú)法驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)低電壓管腳，廠商必須決定是否放棄測(cè)試該元件，或是換用一種非加電無(wú)矢量測(cè)試技術(shù)，如模擬電容開(kāi)路測(cè)試或二極管結(jié)測(cè)試技術(shù)。但這樣做的代價(jià)將是降低診斷精度并可能導(dǎo)致故障機(jī)會(huì)上升。這主要是由于傳統(tǒng)在線測(cè)試設(shè)備的驅(qū)動(dòng)器和比較器精度不夠，同時(shí)邏輯高/低電平間的誤差幅度減小，好的低電壓元件極有可能被誤判為故障元件。因此，廠商如果希望能準(zhǔn)確、安全、可靠地測(cè)試帶有低電壓器件的PCB，在選擇在線測(cè)試設(shè)備時(shí)應(yīng)注意下列問(wèn)題。 


   首先，在線測(cè)試設(shè)備的驅(qū)動(dòng)器精度應(yīng)不超過(guò)100mV，輸出阻抗應(yīng)小于1Ω。這樣可保證驅(qū)動(dòng)器能夠測(cè)試低于0.8V的低電壓，以及驅(qū)動(dòng)器在無(wú)負(fù)載和反向驅(qū)動(dòng)情況下的精度。在線測(cè)試設(shè)備的電壓輸入誤差應(yīng)小于100mV，這樣便可有效區(qū)分1.2V以下的低電壓器件的高/低邏輯電平的不同。 


   其次，在線測(cè)試驅(qū)動(dòng)器應(yīng)當(dāng)能實(shí)時(shí)測(cè)量反向驅(qū)動(dòng)的電流和持續(xù)時(shí)間。這樣便能識(shí)別需要超大反向驅(qū)動(dòng)電流的情況，并能指出測(cè)試程序中遺失或不恰當(dāng)?shù)钠骷綦x。在線測(cè)試編程人員還應(yīng)該可設(shè)置每個(gè)器件管腳的最大反向驅(qū)動(dòng)電流和持續(xù)時(shí)間，從而避免在電路板故障時(shí)敏感器件出現(xiàn)過(guò)壓現(xiàn)象。此外還要能識(shí)別傳統(tǒng)在線測(cè)試設(shè)備無(wú)法檢測(cè)的故障(如故障使能管腳和狀態(tài)臨界的輸出晶體管)。 


   此外，在線D/S管腳應(yīng)該可獨(dú)立設(shè)置邏輯電平閾值(而不是整組管腳)、反向驅(qū)動(dòng)限制條件及電平擺率。這樣編程器和測(cè)試生成軟件可為器件上的每個(gè)管腳設(shè)置恰當(dāng)?shù)倪壿嬰娖健Ｔ诰€測(cè)試設(shè)備應(yīng)該具有專用的數(shù)字控制器硬件，能夠迅速執(zhí)行數(shù)字化測(cè)試矢量而且保持測(cè)試時(shí)序的一致性和重復(fù)性。帶有專用數(shù)字控制器的測(cè)試儀速度快、反向驅(qū)動(dòng)更少同時(shí)測(cè)試結(jié)果重復(fù)性更好。 

   最后，在線測(cè)試設(shè)備應(yīng)該具有測(cè)試程序生成和電路分析軟件，可自動(dòng)禁止/停止PCB上與受驅(qū)動(dòng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)相連的任何輸出。這可避免在反向驅(qū)動(dòng)輸出的邏輯狀態(tài)突然改變時(shí)出現(xiàn)潛在有害的電壓脈沖。