中國半導體存儲器市場增速趨緩

2004年：數字應用推動市場發展

　　2004年中國半導體存儲器市場規模仍然保持了高速增長，但是由于價格降低，市場規模增速由2003年的48.2%降低為26.4%。由于中國消費電子以及移動電話產業增長速度逐漸放緩，存儲器市場需求也逐漸趨緩，2005年，中國半導體存儲器市場規模增速將降低為16.2%，銷售額預計達到579.2億元，銷售量預計達到67.7億塊，較2004年增長33.3%。

　　新興應用拉動存儲器市場需求

　　隨著電子產品的功能日益豐富，成本效益佳、功耗低、密度高及外型小的存儲器產品的市場需求日益增加。

　　作為一種非易失性存儲器，FLASH為各種計算機應用、移動及網絡設備帶來了無可比擬的功能和好處。數碼相機是一種快速增長的消費類電子產品，與標準的計算機用存儲器相比，數碼相機需要存儲器的體積更小，同時工作電流更低，每臺數碼相機需要128MB～256MB的存儲容量，而低功耗DDR存儲器則可為數碼相機廠商提供理想的解決方案。

　　隨著經濟情況好轉，數據網絡技術也有非凡發展。網絡傳輸速度不斷加快，網絡處理器對存儲器的性能和密度要求越來越高，以便迅速有效地進行數據包處理。目前阻礙網絡處理器性能增長的關鍵瓶頸在于存儲器的存取速度和密度，因此在下一代交換機和路由器設計中，為實現所需的數據傳輸速率、功耗及空間指標，對存儲器的要求就相應地大大提高，特別是在容量、帶寬和每引腳總線效率等幾個方面。

　　手機市場兩種FLASH競爭加劇

　　2004年，隨著NANDFLASH廠商的加入，FLASH廠商之間為了爭奪手機市場而展開了更加激烈的競爭。NORFLASH一直在手機中占有主導地位，目前大部分手機使用NORFLASH實現代碼存儲，同時采用SRAM或者PSRAM作為緩存或工作內存，而NANDFLASH廠商提倡把NANDFLASH與SDRAM相結合。

　　NANDFLASH與NORFLASH相比，優點在于NANDFLASH的最大容量可以達到幾個Gb，而NORFLASH的容量只有128Mb，這成為NANDFLASH將在手機市場中替換NORFLASH的重要因素。但是，當用于modem端時，由于NAND不能隨機訪問，所以需要使用大量DRAM，以供遮蔽(shadow)和運行modem指令代碼，這樣就增加了功耗和延長引導時間，另外，NAND在數據完整性方面也不如NOR可靠，這些缺點將導致成本上升。

　　業界專家之所以認為NANDFLASH將替代NORFLASH，還有一個原因是NANDFLASH的單位比特成本加上其缺點導致的額外成本仍低于NORFLASH的單位比特成本。因此，Intel、AMD和Fujitsu等大型NORFLASH廠商面臨壓力，而Samsung、Toshiba和Renesas等NANDFLASH廠商的市場份額則在擴大。


　　數字消費和便攜式應用是重點

　　2004年，存儲器廠商相應推出適用于數字消費和便攜式應用的產品，如ElpidaMemory公司推出了系列適用于數字消費應用的高速DRAM器件；Toshiba將兩片4GbNANDFLASH以TSOP封裝在一起，推出8GbNANDFLASH，使FLASH體積更加小型化，同時為數字家電開辟了更強勁功能的應用；Renesas開發出可減少誤碼率的SDRAM存儲單元和沒有軟錯誤的SRAM，比較適于移動應用等。

　　同時，由于服務器對系統性能的高要求，DDR2在服務器應用中將有更大市場，Hynix發布業界首款基于1Gb的2GbDDR2RDIMM，采用該產品能為用戶在高密度的DDR2服務器和工作站系統中擴大內存容量。

　　2005年：移動通信是主要驅動力

　　DDR2產品價格將會不斷下降

　　隨著各個DRAM廠商DDR2新產品的不斷推出和Intel的5款支持DDR2芯片組的公布，顯示了半導體廠商對DDR2技術的明顯擁護，但是，DDR2成為市場主流還需要時日。

　　目前，DDR2產品的價格還很高，這是市場對DDR2產品持懷疑態度的主要原因。而DDR2產品價格偏高的主要因素有以下幾個方面：首先，因為DDR2器件尺寸的增加，DDR2在每個晶圓上生產出的器件更少，而單個DDR2器件尺寸的增加也造成成本的提高；其次，DDR2采用了成本較高的BGA封裝和速度更快的測試，從而在產品生產和測試階段也增加了成本。

　　DDR2產品的推出和發展速度，在很大程度上依賴于業界何時出現數量可觀而工作穩定的平臺。考慮到現在的狀況，DDR和DDR2產品還必然會在市場上并存很長一段時間。

　　SRAM的成長將平穩漸進

　　針對不同的應用市場，SRAM產品的技術發展已經表現出了兩個很清晰的走向，一個是向高性能通信網絡所需的高速器件發展，另一個是向低功耗性能演變以適應蓬勃發展的便攜式應用的需要。

　　2004年，手機等移動終端市場對SRAM的需求約占總需求的50%左右，另有30%左右的SRAM產品被通信市場所消化。可以說，目前移動終端與通信領域仍然是SRAM市場主要的驅動力。

　　未來SRAM市場的增長將是平穩和漸進的。這種特點與其所服務的市場屬性有關，更重要的一點是傳統的SRAM技術正在受到其他競爭性的DRAM技術的沖擊：在高速網絡方面，FCRAM和RLDRAM技術正在相互競爭中快速成長；在便攜式應用領域，諸如CellularRAM與MobileFCRAM等PSRAM產品也正在逐漸擠壓原先由SRAM獨占的低功耗應用的空間。

　　盡管SRAM在某些方面還有其難以替代的功能特性，但市場對存儲器產品在速度、存儲密度、功耗等方面綜合性的要求將繼續推進那些SRAM替代技術的發展。

　　手機對存儲容量需求將逐漸攀升

　　手機里的存儲器大多使用LPSRAM，因為SRAM比DRAM省電，但是隨著未來手機、PDA等產品的分界線越來越模糊，手機上的功能也越來越多，這將使手機對存儲器容量的需求也逐漸攀升。

　　在容量提升方面有所限制的LPSRAM將逐漸被淘汰。1TSRAM及LPDRAM在容量方面都比LPSRAM高，但就省電方面看，1TSRAM的頻率比LPDRAM低，消耗的電量也比較少，所以1TSRAM相對于LPDRAM在手機上使用的優勢又相對較高。除了以1TSRAM或是LPDRAM來取代LPSRAM之外，廠商考慮到節省空間也會將LPSRAM及NORFLASH以多芯片封裝(MCP)的方式封裝成一個堆棧式內存芯片。

　　未來，若是存儲器二線廠商打算進入手機用存儲器市場，最好先與提供手機用FLASH的國際大廠合作，這樣切入手機用存儲器市場的機會比較大。若選擇不與FLASH大廠合作，而采用二線廠商或用自產的FLASH芯片，則建議以低價策略取得與手機廠商合作的機會。

　　多芯片封裝產品將成市場主流

　　全球通信及消費類電子產品應用面不斷擴大，功能也日益進入整合階段，對FLASH、DRAM容量的需求愈來愈高，而多芯片封裝(MCP)技術可以將FLASH、DRAM等不同規格的芯片利用系統封裝方式整合成單一芯片，且生產前置時間短、制造成本低，具有低功耗特性、高數據傳輸速率等優勢，已經是便攜式電子產品內設內存產品最主要的規格，另外數字電視、機頂盒、網絡通信產品等也已經開始采用各式MCP產品。

　　預計2005年全球MCP需求量將達到4.2億塊。隨著各種便攜式信息裝置對存儲器特性需求的日益多元化，全球包括Samsung、Hynix、Intel等重量級IC廠商都紛紛看好此市場前景，競相推出相關產品。